반도체공정理論(이론)
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작성일 22-10-31 00:33
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반도체공정이론 , 반도체공정이론공학기술레포트 ,
반도체공정理論(이론)
반도체공정理論(이론)
설명
반도체 공정理論(이론)에 관련되어 요약 요약하였습니다.
순서
레포트/공학기술
◎ 반도체 공정
1) 반도체
2) 반도체 소자의 제조 과정
◎ 금속배선공정에서의 Low-k material 特性 및 必要性
1. 반도체 소자
2. 저유전 물질 ( Low-k material )
◎ 금속배선공정에서의 Low-k material 特性 및 必要性
1. 반도체 소자
순수상태에서 부도체이나 전기, 열 등 외부 자극을 가하면 전기가 통하는 소자로서 정보 저장과 제어 등의
기능을 수행
반도체 소자 분류 - memory devices : 정보를 저장하는 기능 (DRAM, SRAM 등)
non-memory devices : 제어 논리 연산 기능 (system IC, 개별소자 등)
2. 저유전 물질 ( Low-k material )
유전물질 - Low-k material : non-memory 소자에 사용되는 것으로 유전율이 3.0이하의 저유전재료들은 차세대 반도체 금속 배선의 층간 물질로 이용되는데 기존의 ILD물질의 SiO2의 유전율이 3.9~4.2로서 너무 높아 반도체 칩의 고집적화, 고속화 등에 문제를 야기할 수 있따
High-k material : memory 소자에 사용되는 것으로 유전율이 큰 물질로 유전상수가 큰 물질들은 전하를 transistor(트랜지스터) 채널로 효율적으로 주입하고 누설전류를 줄여 주기 때문에 게이트 절연소재로서 유용하다.
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다.
1) 유전체 ( dielectric materi…(drop)
반도체 공정이론에 대해서 요약 정리하였습니다.
