실험9예비보고서. MOSFET의 특성
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작성일 22-11-05 02:57
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또한 양의 게이트 전압은 저항들을 n+소스 및 드레인 영역으로부터 채널 영역으로 끌어당길 것이다.순서
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實驗(실험)9. MOSFET의 特性
1.實驗(실험)목적
a.소자 문턱 전압과 소자 전도도변수를 측정(測定) 해 본다
b.MOS 소자의 特性 곡선을 측정(測定) 해보고 이를 통해서 MOS의 여러 特性에 대해 알아본다
2.기초理論
전계-효율 transistor(트랜지스터)
BJT와 마찬가지로 FET에서도 두 단자사이의 전압이 제 3의 단자에 흐르는 전류를 제어한다 따라서 FET는 증폭기나 스위치로 사용될 수 있다아 FET에는 여러 종류가 있지만 주로 사용되는 것은 MOSFET이다. BJT에 비해 MOS transistor(트랜지스터) 는 아주 작게 만들 수 있고 제조 공정이 비교적 간단하다 더욱이 MOSFET만을 이용하여 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수 도 있다아 이런 이유로 현재의 대부분의 VLSI회로는 MOS기술로 만들어 지고 있다아
전류 전도를 위한 채널의 형성
NMOStransistor(트랜지스터) 의 경우 게이트가 소스에 대하여 양의 전위를 가지고 있다면 자유 정공들을 게이트 아래의 기판 영역으로부터 밀어낼 것이다 이 정공들은 기판의 아래쪽으로 밀려날 것ㅇ고 정공들이 있던 자리에는 캐리어 공핍 영역이 남게된다 이 공핍 영역은 억셉터 원자들과 연관된 속박 음전하들로 구성될 것이며 이 속박 음전하 들은 그들을 중화 시키던 정공들이 기판 아래족으로 밀려났기 때문에 노출되어 있을 것이다. 이 상황에서 어떤 임의의 전압이 드레인과 소스 사이에 인가된다면 유도된 n영역이 전류를 드레인으로부터 소스로 흐르게 하는 채널을 형성한다.
출분한 수의 이동 전자들이 채널 영역에 축적 되어 도통된 채널을 형성할 때의 vgs값을…(skip)
설명
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실험과제/기타
다. 충분한 수의 전자들이 게이트 아래의 기판 표면 근처에 축적되면 n영역이 만들어져 소스와 드레인 사이를 전기적으로 연결할 것이다.
